型号 | SI6415DQ-T1-GE3 |
厂商 | Vishay Siliconix |
描述 | MOSFET P-CH 30V 6.5A 8-TSSOP |
SI6415DQ-T1-GE3 PDF | |
代理商 | SI6415DQ-T1-GE3 |
产品目录绘图 | DQ-T1-E3 Series 8-TSSOP |
标准包装 | 1 |
系列 | TrenchFET® |
FET 型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 19 毫欧 @ 6.5A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) | 1V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 70nC @ 10V |
功率 - 最大 | 1.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商设备封装 | 8-TSSOP |
包装 | 剪切带 (CT) |
产品目录页面 | 1665 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | SI6415DQ-T1-GE3CT |